电力二极管

电力二*管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二*管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；电力二*管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二*管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的，从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。

重要类型

其主要类型有普通二*管、快恢复二*管、肖特基二*管。
普通二*管
普通二*管（General Purpose Diode）又称整流二*管（Rectifier Diode），多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。
快速恢复二*管
恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5μs以下）[1]的二*管，也简称快速二*管。 工艺上多采用了掺金措施，结构上有的采用PN结构类型，也有的采用对此加以改进的PiN结构。
肖特基二*管
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二*管称为肖特基势垒二*管（Schottky Barrier Diode--SBD），简称为肖特基二*管。肖特基二*管的优点在于：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二*管。因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二*管还要小，效率高。肖特基二*管的弱点在于： 当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。