数字万用表和指针万用表测量半导体的方法是不同的

数字万用表的使用已很普及了，但在常见的电工技术方面的书中，半导体的测量方法多是使用指针万用表，很少介绍使用数字万用表的。数字万用表和指针万用表测量半导体的方法是不同的。

一、二*管

数字万用表二*管档开路电压约为2.8V，红表笔接正，黑表笔接负，测量时提供电流约为1mA，显示值为二*管正向压降近似值，单位是mV或V。硅二*管正向导通压降约为0.3~0.8V。锗二*管锗正向导通压降约为0.1~0.3V。并且功率大一些的二*管正向压降要小一些。如果测量值小于0.1V，说明二*管击穿，此时正反向都导通。如果正反向均开路说明二*管PN节开路。对于发光二*管，正向测量时二*管发光，管压降约1.7V左右。

二、三*管

三*管有两个PN节，发射节(be)和集电节(bc)，按测量二*管的方法测量即可。在实际测量时，每两个管脚间都要测正反向压降，共要测6次，其中有4次显示开路，只有两次显示压降值，否则三*管是坏的或是特殊三*管(如带阻三*管、达林顿三*管等，可通过型号与普通三*管区分开来)。在两次有数值的测量中，如果黑表笔或红表笔接同一*，则该*是基*，测量值较小的是集电节，较大的是发射节，因为已判断出基*，对应可以判断出集电*和发射*。同时可以判断：如果黑表笔接同一*，则三*管是PNP型，如果红表笔接同一*，则三*管是NPN型;压降为0.6V左右的是硅管，压降为0.2V左右的是锗管。

　　三、可控硅

可控硅阳*与阴*及控制*是开路的，据此可以确定阳*管脚和判断可控硅是否击穿。可控硅控制*和阴*间也是PN节，但是大功率可控硅控制*和阴*间有一个保护电阻，测量时显示值为电阻上的压降。

四、光耦

光耦的一侧是发光二*管，测量时压降约1V左右，另外一侧是三*管，有的只引出c、e，测量正反向均截止，如果三个脚都引出，测量特性同上面三*管(多为NPN管)。当用一个万用表使二*管正向导通，此时用另外一块万用表测三*管c对e导通压降约为0.15V;断开接二*管的万用表，三*管c对e截止，说明该光耦是好的。