场效应晶体管的分类

场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电*称为源和漏。控制横向电场的电*称为栅。

根据栅的结构，场效应晶体管可以分为三种：

①结型场效应管(用PN结构成栅*)；

②MOS场效应管（用金属-氧化物－半导体构成栅*，见金属－绝缘体－半导体系统）；

③MES场效应管（用金属与半导体接触构成栅*）;其中MOS场效应管使用广泛。尤其在大规模的发展中，MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。

在MOS器件的基础上，又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等；配上光电二*管列阵，可用作摄像管。