绝缘栅场效应管的主要参数

绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。

Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅*电压UGS=0时的漏源电流。

Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅*电压。

Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅*电压。

gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏*电流ID的控制能力，即漏*电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

BVDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项*限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.

PDSM—耗散功率。是一项*限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

IDSM—漏源电流。是一项*限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。