NPN型三极管检测

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检测周期

一般3-15个工作日，可加急。

检测方式

可寄样检测、目测检测、见证试验、现场检测等。

检测费用

具体根据NPN型三*管检测检测数量和项目而定。详情请咨询在线客服。

检测产品

0NPN型三*管简介

NPN型三*管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三*管是电子电路中较重要的器件，它较主要的功能是电流 放大和开关作用。半导体三*管也称为晶体三*管，可以说它是电子电路中较重要的器件。它较主要的功能是电流放大和开关作用。 三*管顾名思义具有三个电*。二*管是由一个PN结构成的，而三*管由两个PN结构成，共用的一个电*成为三*管的基*（用字母B表示——B取自英文Base，基本(的）、基础（的）），其他的两个电*分别称为集电*（用字母C表示——C取自英文Collector，收集）和发射*（用字母E表示—— E取自英文Emitter，发射）。三*管较基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三*管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三*管的基*上加一个微小的电流时，在集电*上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电*电流。集电*电流随基*电流的变化而变化，并且基*电流很小的变化可以引起集电*电流很大的变化，这就是三*管的放大作用。

1NPN型三*管工作原理

三*管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射*接法为例（信号从基*输入，从集电*输出，发射*接地），当基*电压UB有一个微小的变化时，基*电流IB也会随之有一小的变化，受基*电流IB的控制，集电*电流IC会有一个很大的变化，基*电流IB越大，集电*电流IC也越大，反之，基*电流越小，集电*电流也越小，即基*电流控制集电*电流的变化。但是集电*电流的变化比基*电流的变化大得多，这就是三*管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三*管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三*管的放大倍数β一般在几十到几百倍。

三*管在放大信号时，**要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。

2NPN型三*管电路解析

如上图所示，我们把从基*B流至发射*E的电流叫做基*电流Ib;把从集电*C流至发射*E的电流叫做集电*电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射*的，所以发射*E上

就用了一个箭头来表示电流的方向。三*管的放大作用就是：集电*电流受基*电流的控制(假设电源能够提供给集电*足够大的电流的话)，并且基*电流很小的变化，会引起集电*电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电*电流的变化量是基*电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三*管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基*跟发射*之间，这就会引起基*电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电*电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。

三*管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。**是由于三*管BE结的非线性(相当于一个二*管)，基*电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基*与发射*之间的电压小于0.7V时，基*电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基*电流的改变(因为小于0.7V时，基*电流都是0)。如果我们事先在三*管的基*上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基*偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基*电流的变化，而基*电流的变化，就会被放大并在集电*上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电*电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电*有一定的电流，当输入的基*电流变小时，集电*电流就可以减小;当输入的基*电流增大时，集电*电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。

下面说说三*管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电*电流是不能无限增加下去的。当基*电流的增大，不能使集电*电流继续增大时，三*管就进入了饱和状态。一般判断三*管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三*管的集电*跟发射*之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三*管来当作开关使用：当基*电流为0时，三*管集电*电流为0(这叫做三*管截止)，相当于开关断开;当基*电流很大，以至于三*管饱和时，相当于开关闭合。如果三*管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三*管我们一般把它叫做开关管。

如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基*电流为0时，集电*电流为0，灯泡灭。如果基*电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三*管的放大倍数β)，三*管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基*电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三*管未饱和之前)。

但是在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基*电流乘放大倍数等于或稍大于集电*电流时是浅度饱和，远大于集电*电流时是深度饱和。因此我们只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。

对于PNP型三*管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射*上面那个箭头方向也反了过来——变成朝里的了。

3NPN型三*管元件作用

电阻R1基*偏置用,电阻R2有限流作用,也是三*管集电*的负载电阻。发光二*管D指示作用,三*管T开关作用,电池E供电。

三*管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c*和b,e*的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的。

估算NPN型三*管的电流放大系数的简单方法：

黑表笔接c*,红表笔接e*,在c,b*间接一个50-200K的电阻,查看表针的摆动情况,摆动越大,β值越高。

4NPN型三*管实验方法

按接线图表5接好电路,注意三*管e、b、c三个管脚及发光二*管的*性不要接错。R1是基*的偏置电阻,当用红线(W)接到14号弹簧或8号弹簧时都可向基*加上偏置电流使三*管导通,(即c、e*间相当于短路),发光二*管D导通发光。当红线(W)接到20号弹簧时,由于20号弹簧的电位低,三*管不导通(即c、e间相当于断路)发光二*管D不发光。

5NPN型三*管常用

电子制作中常用的三*管有9 0× ×系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管） 等，它们的型号也都印在金属的外壳上。

部分的3表示为三*管。 第二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 第三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。

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