HALBLEITERSPEICHERVORRICHTUNG UND TESTVERFAHREN FÜR DIESE

Eine Halbleitervorrichtung umfasst Speicherzellen, Wortleitungen, einen Zeilenadressdecodierer, Wortleitungstreiber, einen ersten Schalttransistor und zweite Schalttransistoren. Der Schalttransistor ist zwischen den Wortleitungstreibern und einem Leistungsversorgungspotentialanschluss vorgesehen. Jeder zweite Schalttransistor ist zwischen jeder Wortleitung und einem Referenzpotentialanschluss vorgesehen. Der Zeilenadressdecodierer aktiviert alle Decodiersignale, die den Speicherzellen entsprechen, an denen ein Burn-In-Test kollektiv durchgeführt wird. Der erste Schalttransistor hat eine niedrigere Treiberfähigkeit als eine Gesamttreiberfähigkeit von zwei P-Kanal-MOS-Transistoren, die in Invertierern von zwei Wortleitungstreibern enthalten sind. Jeder zweite Schalttransistor hat eine niedrigere Treiberfähigkeit als eine Treiberfähigkeit eines N-Kanal-MOS-Transistors, der in dem Invertierer jedes Wortleitungstreibers enthalten ist.