二极管检测第三方报告

二*管检测哪些项目？检测报告如何办理？检测周期多久？报告有效期多久呢？测试哪些项目呢？我们只做真实检测。

报告范例

二*管特性曲线、反向漏电流、正向电压、反向电流、反向电压、工作电压、反向击穿电压、正向直流电压、稳压管动态电阻、稳压管工作电压、击穿电压、反向工作峰值电压、正向压降、稳压二*管工作电压、稳压二*管微分电阻、正向电压（VF）、反向恢复时间、反向恢复能量、反向恢复软度系数、反向重复峰值电流、总电容电荷、恢复电荷、正向直流电流、微分电阻、电容、瞬态热阻抗、反向击穿电压（V_(BR)）、反向电流（I_R）、正向电压（V_F）、稳压管工作电压（V_Z）、二*管反压变化率、单脉冲雪崩能量、反向恢复电荷、稳态热阻、结电容、反向电流I_R、工作电压V_Z、微分电阻r_Z、正向电压V_F、击穿电压V_（BR）、功率老炼、高温反偏、交变湿热、外部目检、密封、尺寸、快速温度变化、恒定加速度、振动、整流二*管的标志、机械冲击、正向电压（在正向大电流时）、正向电压（在正向小电流时）、湿热循环、稳态湿热、高温贮存、常温功率老炼

1、GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二*管 第1篇 信号二*管、开关二*管和可控雪崩二*管空白详细规范 B5

2、GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二*管 7.1.3

3、IEC 60747-3-2013 半导体器件分立器件 第3部分：分立器件：信号、开关和整流二*管 6.2.2

4、JESD 51-14：2010 具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法

5、GB/T 4023－2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二*管 第7.1.4条

6、MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准 3476

7、GJB128A-97 半导体分立器件试验方法 方法4016

8、GJB128A－1997 《半导体分立器件试验方法》 方法4011

9、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法4023

10、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二*管

11、GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分：信号（包括开关）和调整二*管（不包括温度补偿精密基准二*管） 空白详细规范 B5

12、MIL-STD-750-4:2017 半导体器件 二*管电参数测试方法 第4部分：测试方法4000至4999 方法 4021.2

13、GB/T 6571-1995 IEC 747-3-1985 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二*管 第 IV章第1节1

14、GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二*管 第IV章/第1节/2

15、IEC 60747-2:2016 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二*管 6.1.8

16、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法4016

17、GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二*管

18、GB/T4023-2015 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二*管 7.1.2

19、IEC 60747-2 Edition 3.0 :2016 半导体器件-第2部分：分立器件-整流二*管 6.1.3

20、GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分：**篇 100A以下环境和管壳额定整流二*管（包括雪崩整流二*管） 空白详细规范 表2 C7

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