存储器检测第三方公司

2023-09-27  |  来源:互联网 87浏览
摘要:存储器检测报告如何办理?检验哪些项目?报告有效期多久呢?测试方法是什么?检测周期多久呢?我们只做真实检测。

存储器检测哪些项目?检测周期多久呢?检测报告如何办理?测试方法有哪些?报告有效期多久呢?做检测,找百检!

检测报告图片

检测报告

检测项目:

全“1”全“0”、输入高、低电平电流、输出低电平电压VOL、输出高电平电压VOH、静态条件下的电源电流、功能特性、*高工作频率、电源电流、输入低电平电压、输入电平电流、输入高电平电压、输出低电平电压、输出负载电流、输出高电平电压、地址存取时间tAA、片选存取时间tAC、电源电压、输入负载电流II、工作状态时电源电流ICC、全“0”全“1”功能测试、工作状态电源电流 ICC、校验板功能测试、维持状态电源电流 ICCS、输入负载电流 ILI、输出低电平电压VOL、输出高电平电压VOH、传输时间、保持时间、动态电源电流、存储单元0变1功能、存储单元1变0功能、延迟时间、建立时间、特殊数据图形功能、输入低电平、输入低电平电流、输入高电平、输入高电平电流、输出低电平、输出漏电流、输出高电平、静态电源电流、功能测试(全“1”全“0”)、功能测试(棋盘格)、输入高电平电流IIH、输入低电平电流IIL、静态条件下的电源电流IBB、静态条件下的电源电流IDD、静态条件下的电源电流IBB、输入高电平电流IIH、输入低电平电流IIL、输入负载电流ILI、静态条件下的电源电流ISB、片选存取时间tAC、输入低电平电压VIL、输出高阻态电流IOZL、动态条件下的总电源电流ICC、输入负载电流I、动态条件下的总电源电流I、地址存取时间t、片选存取时间t、静态条件下的电源电流IDD、地址存取时间tAA、低温工作寿命检测、低温读写、常温读写+保存数据退化及只读检测、接口协议检测、擦写读取检测、无偏压高加速温湿度寿命检测(UHAST)、早夭期寿命检测、温度循环检测(TC)、湿敏等级检测、电气参数检测、芯片的 DPI 传导抗扰度、芯片的 EFT 传导抗扰度、芯片的 PESD 传导抗扰度、芯片辐射电场抗扰度、闩锁检测(Latch-up)、静态高温长时间保存下数据退化检测、静电放电-人体模型检测(ESD-HBM)、静电放电-带电器件模型检测(ESD-CDM)、预处理检测、高加速温湿度寿命检测(HAST)、高温存储检测(HTSL)、高温工作寿命检测、高温读写+保存数据退化检测、写恢复时间、功能、地址存取时间、*小写脉冲的持续时间脉宽、片选存取时间、读存取时间、输入高电平电流和输入低电平电流、输出短路电流、输出高电平电压和输出低电平电压

检测标准:

1、SJ/T 10739-96 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96

2、GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998

3、SJ/T10739-96 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 第4.1条

4、GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路第 第II篇 第3.6.2.1

5、SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理SJ/T 10739-1996第2.1、2.2、2.3、2.6、4条

6、T/CIE070—2020 工业级高可靠集成电路评价 第 4 部分:非易失性存储器 5.6.3

7、GB/T 36477-2018 《半导体集成电路 快闪存储器测试方法》 GB/T 36477-2018

8、GB/T 36477-2018 《半导体集成电路 快闪存储器测试方法》 5.7

9、SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996

10、T/CIE 070—2020 工业级高可靠集成电路评价 第 4 部分:非易失性存储器 5.7.3

11、GB/T17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 IV.3.6

检测报告用途

商超入驻、电商上架、内部品控、招投标、高校科研等。

检测报告有效期

一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。常规来说只要测试没更新,测试不变检测报告一直有效。如果是用于过电商平台,一般他们只认可一年内的。所以还要看平台或买家的要求。

检测时间周期

一般3-10个工作日(特殊样品除外),具体请咨询客服。

检测费用

因测试项目及实验复杂程度不同,具体请联系客服确定后进行报价。

检测流程

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