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二*管正向压降VSD、低温测试、反向恢复时间trr、开关时间(td(on)、tt、tf、td(off))、栅*截止电流IGSS、栅电荷(Qg、Qgs、Qgd)、正向跨导gfs、漏-源击穿电压V(BR)DSS、漏-源通态电阻RDS(on)、漏*截止电流IDSS、瞬态热阻Rth、稳态热阻Rja、Rjc、结电容(Ciss、Coss、Crss)、耐溶性、阈值电压VGS(th)VGS(off)、高温测试
检测标准一览:1、GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二*管 GB/T 6571-1995
2、GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009
3、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005
4、GB/T4586-1994 半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管 第Ⅳ章 第2条、第4条、第5条、第6条、第7条、第9条、第10条、第11条、第15条
5、GB/T 4586-1994 半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管 GB/T4586-1994
6、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 4011
7、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
8、GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二*管 第Ⅳ章4.2.3、4.2.4
9、GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 215
10、MIL-STD- 750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
11、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 2015.1
12、MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3472.2
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