![百检网](/_nuxt/img/logo.a544c5e.png)
绝缘栅双*晶体管(IGBT)检测标准有哪些?检测报告如何办理?我们严格按照国家和行业相关标准进行检测和评估,确保检测结果的准确性和可靠性。同时,我们还根据客户的需求,提供个性化的检测方案和报告,帮助厂家更好地了解产品质量和性能。做检测,找百检!
检测报告图片
关断期间的各时间间隔和关断能量、反向传输电容、开通期间的各时间间隔和开通能量、*大集电*峰值电流、*大集电*电流、栅*漏电流IGES、栅*电荷、栅*-发射*阈值电压VGEth、输入电容、输出电容、集电*-发射*击穿电压V(BR)CES、集电*截止电流ICES、集电*-发射*电压、集电*-发射*短路时的栅*-发射*电压、集电*-发射*饱和电压VCEsat、栅*-发射*阈值电压、栅*漏电流、稳态湿热偏置寿命、结-壳热阻、间歇工作寿命(负载循环)、集电*-发射*饱和电压、集电*截止电流、高温栅*偏置、高温阻断、发射*—集电*的击穿电压V(BR)ECO、栅*—发射*的漏电流IGES、栅*阈电压VGE(th)、正向跨导gm、集电*—发射*的击穿电压V(BR)CEO、集电*—发射*的饱和电压VCEsat、零栅压时的集电*电流ICES、集电*-发射*饱和电压、栅*-发射*阈值电压、*大反偏安全工作区、*大短路安全工作区1、*大短路安全工作区2、开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton)和开通能量Eon、关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff、tz)和关断能量Eoff、结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗、集电*-发射*击穿电压、发射*—集电*的击穿电压、栅*—发射*的漏电流、栅*阈电压、集电*—发射*的击穿电压、集电*—发射*的饱和电压、零栅压时的集电*电流、正向跨导
检测标准一览:1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5
2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3
3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5
4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4
5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2
6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007
7、GB/T 4587-1994 半导体器件分立器件 第7部分:双*型晶体管 GB/T 4587-1994
8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9
9、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 Ⅳ2
10、IEC 60749-5:2017 半导体器件机械和气候试验方法 第5部分:稳态湿热偏置寿命试验
11、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT)
12、 GB/T 29332-201 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012
13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3
14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4
15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2
16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3
17、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
18、 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012
19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12
20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11
检测报告用途商超入驻、电商上架、内部品控、招投标、高校科研等。
如果您对产品品质和安全性能有严格要求,不妨考虑选择我们的检测服务。让我们助您一臂之力,共创美好未来。
检测优势:严格标准:严格按照国家和行业相关标准进行检测和评估,确保检测结果的准确性和可靠性。
个性化建议:根据客户需求提供个性化的检测方案和报告,帮助厂家更好地了解产品质量和性能。
快速反馈:及时为客户提供检测结果和反馈,以便厂家能够采取相应的措施进行改进和完善。
便捷高效:提供灵活的服务方式和时间安排,以便客户能够便捷地获得所需的检测服务和支持。
经验丰富:我们拥有丰富的行业经验和知识储备能够为客户提供相关的检测服务支持。
检测时间周期一般3-10个工作日(特殊样品除外),具体请咨询客服。
报告有效期多久一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。常规来说只要测试没更新,测试不变检测报告一直有效。如果是用于过电商平台,一般他们只认可一年内的。所以还要看平台或买家的要求。
检测费用价格因测试项目及实验复杂程度不同,具体请联系客服确定后进行报价。
检测流程