半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)检测标准有哪些

半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)检测项目有哪些?半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)检测报告如何办理?检测标准方法是什么？百检第三方检测机构主要为公司企业、事业单位、个体商户、高校科研提供样品检测服务，报告CMA/CNAS/CAL资质，真实有效。

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二*管正向压降V_SD、低温测试、反向恢复时间t_rr、开关时间(t_d(on)、t_t、t_f、t_d(off))、栅*截止电流I_GSS、栅电荷(Qg、Qgs、Qgd)、正向跨导gfs、漏-源击穿电压V_(BR)DSS、漏-源通态电阻R_DS(on)、漏*截止电流I_DSS、瞬态热阻R_th、稳态热阻R_ja、R_jc、结电容(C_iss、C_oss、C_rss）、耐溶性、阈值电压V_GS(th)V_GS(off)、高温测试

1、GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二*管 GB/T 6571-1995

2、GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009

3、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005

4、GB/T4586-1994 半导体分立器件和集成电路 第8部分：场效应功率晶体管 第Ⅳ章 第2条、第4条、第5条、第6条、第7条、第9条、第10条、第11条、第15条

5、GB/T 4586-1994 半导体分立器件和集成电路 第8部分：场效应功率晶体管 GB/T4586-1994

6、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 4011

7、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

8、GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二*管 第Ⅳ章4.2.3、4.2.4

9、GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 215

10、MIL-STD- 750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F

11、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 2015.1

12、MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3472.2

以上内容为部分列举，仅供参考。如果您对半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)检测有严格要求，不妨考虑选择我们的检测服务。百检也可根据您的需求设计检测方案。具体请咨询客服。

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