绝缘栅双极型晶体管检测哪里可以做?

2023-12-29  |  来源:互联网 165浏览
摘要:绝缘栅双极型晶体管检测第三方检测机构有哪些?绝缘栅双极型晶体管检测报告如何办理?检测项目及标准有哪些?百检第三方检测平台汇集众多CMA/CNAS/CAL资质实验室及检测公司机构,主要为公司企业、个体商户、高校科研提供检测服务,做检测,找百检。

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检测报告图片

检测报告

检测项目参考:

栅*-发射*漏电流(IGES)、栅*-发射*阈值电压(VGE(th))、集电*-发射*饱和电压(VCE(sat))、集电*截止电流(ICES)、栅*-发射*漏电流 IGES、栅*-发射*阈值电压 VGE(th)、集电*-发射*饱和电压 VCE(sat)、集电*截止电流 ICES、集电*-发射*击穿电压、集电*-发射*漏流、集电*-发射*饱和压降、栅*-发射*阈值电压、栅*漏电流、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗、集电*-发射*饱和电压、集电*截止电流、二*管反向恢复时间、人体静电放电模式、反向传输电容、开关时间&损耗、*大反偏安全工作区、栅*电荷、短路耐受时间、稳态热阻、输入电容、输出电容、集射间反向击穿电压、集电*反向漏电流、栅*-发射*漏电流 IGES、栅*-发射*阈值电压 VGE(th)、集电*-发射*饱和电压 VCE(sat)、集电*截止电流ICES、栅*-发射*漏电流 IGES、栅*-发射*阈值电压 VGE(th)、集电*-发射*饱和电压 VCE(sat)、集电*截止电流 ICES、通态电压、通态电阻、栅*内阻、二*管压降、二*管反向恢复电荷、栅*-发射*阈值电压 VGE(th)、栅*-发射*漏电流 IGES、集电*截止电流 ICES、集电*-发射*饱和电压 VCE(sat)、绝缘栅双*型晶体管直流参数测试仪检定校准

检测标准方法一览:

1、MIL-STD- 750-4w/CHANGE 3-2019 半导体设备二*管电学实验方法 MIL-STD-750-4w/CHANGE 3-2019

2、》 GB/T 29332-201 《半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT)》 GB/T29332-2012

3、GB/T29332-2012 《半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT)》 6.3.5

4、MIL-STD- 750-3w/CHANGE 1-2019 半导体设备晶体管电学实验方法 MIL-STD-750-3w/CHANGE 1-2019

5、ANSI/ESDA/JEDECJS-001:2017 器件级静电放电灵敏度测试-人体模式

6、GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) 6.3.5

7、MIL-STD-750F:2012 半导体分立器件试验方法 3407

8、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3407

9、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

10、IEC 60747-9:2019 半导体器件-第9部分:分立器件 绝缘栅双*型晶体管 IEC 60747-9:2019

11、 GB/T 29332-201 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012

12、MIL-STD- 750F:2012 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012

13、JESD 24-11-1996 功率场效应管栅*电阻测试方法 JESD24-11-1996

14、IEC 60747-2:2016 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二*管 6.1.6

15、IEC 60747-2:2016 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二*管 IEC 60747-2:2016

16、IEC 60747-9:2019 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管 6.3.9

17、JJG(电子) 310007 绝缘栅双*型晶体管直流参数测试系统检定规程

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检测报告作用:

1、项目招投标:出具第三方CMA/CNAS资质报告;

2、电商平台入驻:质检报告各大电商平台认可;

3、销售报告:出具真实的检测报告,让消费者更放心;

4、论文及科研:提供科学、准确的检测数据;

5、工业问题诊断:验证工业生产环节问题排查和修正;

检测流程

检测流程

以上内容为部分列举,仅供参考。百检也可根据您的需求设计检测方案。如果您对绝缘栅双*型晶体管检测有严格要求,不妨考虑选择我们的检测服务。更多信息请咨询客服。