半导体设备保护用熔断体检测价格参考

半导体设备保护用熔断体检测流程是什么?半导体设备保护用熔断体检测哪些项目？执行标准有哪些？检测报告有效期多久？做检测，找百检。百检第三方检测主要为公司企业、个体商户、高校科研提供检测服务。我们只做真实检测。

检测报告图片

检测项目：

全部参数、分断能力验证、温升和耗散功率、约定不熔断电流、约定熔断电流、过载能力验证、额定电流验证、全部项目、标志、尺寸、电阻、熔断器支持件的布置、绝缘性能验证、隔离适用性验证、温升与耗散功率、约定不熔断电流与约定熔断电流验证、熔断体的额定电流验证、时间-电流特性和门限验证、过载、约定电缆过载保护、指示装置和撞击器动作、截断电流特性验证、I²t特性和过电流选择性验证、外壳防护等级验证、耐热性验证、触头不变坏验证、机械强度、耐应力腐蚀龟裂验证、耐非正常的热和火验证、耐锈性验证、耐非正常热和火、耐应力腐蚀龟裂、I2t特性和过电流选择性验证、机械强度试验、动作验证、温升与耗散功率验证、绝缘性能和隔离适用性验证、耐锈性、I²t特性和过电流选择性验证、完整试验（电阻）、撞击器的动作、熔断器的尺寸、约定电缆过载试验、过载能力的验证、额定电流的验证、No.12 分断能力和动作特性、No.13 “gR”和“gS”分断能力和动作特性、No.11 分断能力和动作特性、N0.6动作特性试验、No.12a “aR”分断能力和动作特性、No.10 动作特性试验、No.1 分断能力、No.2a “aR”分断能力、N0.7动作特性试验、N0.8动作特性试验、No.2 分断能力、N0.9 动作特性试验、No.5 “gR”和“gS”分断能力、“gG”、“gM”、“gD”、和“gN”熔断体弧前I2t值和降低电压下的熔断I2t值的计算、短路功率因数的测量、截断电流-时间特性的计算、具有连接外部铜导线的无螺纹型接线端子的熔断器底座的特殊要求、截断电流特性、动作、耐热性、机械设计、额定电流、触头不变坏、熔断体的过电流选择性、温升、耗散功率、I 2t特性和过电流选择性验证、绝缘性能和隔离适用性、峰值耐受电流、防电击保护、机械选择性试验、总则、防护等级、电磁兼容性、门限、No2a “aR”分断能力、No.21 分断能力和动作特性、半导体设备保护用熔断体、时间-电流特性、约定电缆过载保护试验、指示器装置和撞击器的动作

检测标准：

1、GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 /8.7/8.7

2、GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 8.5

3、GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016

4、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2006 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2006(ed4.0) IEC 60269-4:2009(ed5.0) EN 60269-4:2009 IEC 60269-4:2012(ed5.1) IEC 60269-4 AMD 2-2016 EN 60269-4-2012 EN 60269-4:2009+A2:2016

5、GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

6、GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

7、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2006(ed4.0)IEC60269-4:2009(ed5.0)EN60269-4:2009IEC60269-4:2012(ed5.1)IEC60269-4AMD2:2016EN60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

8、GB/T 13539.1-2015IEC 60269-1、 4.0)IEC 60269-1、 4.1)IEC 60269-1、 2014EN 60269-1-2014、 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4、 4.0)IEC 60269-4、 5.0)EN 60269-4、 2009IEC 60269-4、 5.1)IEC 60269-4 AMD 2-2016EN 60269-4-2012 低压熔断器第1部分：基本要求GB/T 13539.1-2015IEC 60269-1:2006(ed4.0)IEC 60269-1:2009(ed4.1)IEC 60269-1:2014EN 60269-1-2014低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2006(ed4.0)IEC 60269-4:2009(ed5.0)EN 60269-4:2009IEC 60269-4:2012(ed5.1)IEC 60269-4 AMD 2-2016EN 60269-4-2012

9、GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2006(ed4.0) IEC 60269-4:2009(ed5.0) EN 60269-4:2009 IEC 60269-4:2012(ed5.1) IEC 60269-4 AMD 2-2016 EN 60269-4-2012 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

10、GB/T13539.1-2015IEC60269-1:2006(ed4.0)IEC60269-1:2009(ed4.1)IEC60269-1:2014EN60269-1-2014 低压熔断器 第1部分：基本要求低。压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

11、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012

12、GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012

13、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

14、GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分: 半导体设备保护用熔断体的补充要求

15、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2006EN60269-4:2009EN60269-4:2012IEC60269-4:2012(ed5.1)IEC60269-4:2009/AMD2:2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

16、GB/T13539.1-2015IEC60269-1:2006(ed4.0)IEC60269-1:2009(ed4.1)IEC60269-1:2014EN60269-1:2014 低压熔断器 第1部分：基本要求低。压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

17、IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

18、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016

19、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

报告资质：

CMA；CNAS， 中文报告、英文报告、中英文报告。

检测报告作用：

电商平台入驻；商超卖场入驻；产品质量改进；产品认证；出口通关检验等

检测费用：

因检测项目及样品数量、实验复杂程度不同，具体费用请联系我们确定项目后方可报价。

检测报告有效期：

常规来说只要测试没更新，测试不变检测报告一直有效。一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。如果是用于过电商平台，一般他们只认可一年内的。所以还要看平台或买家的要求。

检测流程

以上内容为部分列举，仅供参考。百检也可根据您的需求设计检测方案。如果您对半导体设备保护用熔断体检测有严格要求，不妨考虑选择我们的检测服务。更多信息请咨询客服。