绝缘栅双极晶体管（IGBT）检测指标汇总

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发射*—集电*的击穿电压V_(BR)ECO、栅*—发射*的漏电流I_GES、栅*阈电压V_GE(th)、正向跨导g_m、集电*—发射*的击穿电压V_(BR)CEO、集电*—发射*的饱和电压V_CEsat、零栅压时的集电*电流I_CES、关断期间的各时间间隔和关断能量、反向传输电容、开通期间的各时间间隔和开通能量、*大集电*峰值电流、*大集电*电流、栅*漏电流IGES、栅*电荷、栅*－发射*阈值电压VGEth、输入电容、输出电容、集电*-发射*击穿电压V(BR)CES、集电*截止电流ICES、集电*－发射*电压、集电*－发射*短路时的栅*－发射*电压、集电*－发射*饱和电压VCEsat、栅*-发射*阈值电压、栅*漏电流、稳态湿热偏置寿命、结－壳热阻、间歇工作寿命（负载循环）、集电*-发射*饱和电压、集电*截止电流、高温栅*偏置、高温阻断、集电*－发射*饱和电压、栅*－发射*阈值电压、*大反偏安全工作区、*大短路安全工作区1、*大短路安全工作区2、开通期间的各时间间隔（td(on)、tr、ton）和开通能量Eon、关断期间的各时间间隔（td(off)、tf、toff、tz）和关断能量Eoff、结－壳热阻和结－壳瞬态热阻抗、集电*-发射*击穿电压、发射*—集电*的击穿电压、栅*—发射*的漏电流、栅*阈电压、集电*—发射*的击穿电压、集电*—发射*的饱和电压、零栅压时的集电*电流、正向跨导

1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5

2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3

3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5

4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4

5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2

6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

7、GB/T 4587-1994 半导体器件分立器件 第7部分:双*型晶体管 GB/T 4587-1994

8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9

9、IEC 60749-5:2017 半导体器件机械和气候试验方法 第5部分：稳态湿热偏置寿命试验

10、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT)

11、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 Ⅳ2

12、 GB/T 29332-201 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012

13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3

14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4

15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2

16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3

17、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994

18、 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012

19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12

20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11

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