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发射*—集电*的击穿电压V(BR)ECO、栅*—发射*的漏电流IGES、栅*阈电压VGE(th)、正向跨导gm、集电*—发射*的击穿电压V(BR)CEO、集电*—发射*的饱和电压VCEsat、零栅压时的集电*电流ICES、关断期间的各时间间隔和关断能量、反向传输电容、开通期间的各时间间隔和开通能量、*大集电*峰值电流、*大集电*电流、栅*漏电流IGES、栅*电荷、栅*-发射*阈值电压VGEth、输入电容、输出电容、集电*-发射*击穿电压V(BR)CES、集电*截止电流ICES、集电*-发射*电压、集电*-发射*短路时的栅*-发射*电压、集电*-发射*饱和电压VCEsat、栅*-发射*阈值电压、栅*漏电流、稳态湿热偏置寿命、结-壳热阻、间歇工作寿命(负载循环)、集电*-发射*饱和电压、集电*截止电流、高温栅*偏置、高温阻断、集电*-发射*饱和电压、栅*-发射*阈值电压、*大反偏安全工作区、*大短路安全工作区1、*大短路安全工作区2、开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton)和开通能量Eon、关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff、tz)和关断能量Eoff、结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗、集电*-发射*击穿电压、发射*—集电*的击穿电压、栅*—发射*的漏电流、栅*阈电压、集电*—发射*的击穿电压、集电*—发射*的饱和电压、零栅压时的集电*电流、正向跨导
检测标准方法参考:1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5
2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3
3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5
4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4
5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2
6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007
7、GB/T 4587-1994 半导体器件分立器件 第7部分:双*型晶体管 GB/T 4587-1994
8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9
9、IEC 60749-5:2017 半导体器件机械和气候试验方法 第5部分:稳态湿热偏置寿命试验
10、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT)
11、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 Ⅳ2
12、 GB/T 29332-201 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012
13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3
14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4
15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2
16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3
17、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
18、 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012
19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12
20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11
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