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双极晶体管检测报告办理流程

摘要：双极晶体管检测报告如何办理?双极晶体管检测第三方检测机构有哪些?做检测，找百检。百检第三方检测平台汇集众多CMA/CNAS/CAL资质实验室及检测公司机构，主要为公司企业、个体商户、高校科研提供检测服务。我们只做真实检测

双*晶体管检测报告如何办理?双*晶体管检测第三方检测机构有哪些?做检测，找百检。百检第三方检测平台汇集众多CMA/CNAS/CAL资质实验室及检测公司机构，主要为公司企业、个体商户、高校科研提供检测服务。我们只做真实检测

检测报告图片

检测报告

检测项目指标一览：

f_T特征频率、I_B=0时的集电*发射*击穿电压V_(BR)CEO、I_B=0时的集电*发射*截止电流I_CEO、I_C=0时的发射*基*击穿电压V_(BR)EBO、I_C=0时的发射*基*截止电流I_EBO、I_E=0时的集电*基*击穿电压V_(BR)CBO、I_E=0时的集电*基*截止电流I_CBO、S-参数、上升时间t_r、下降时间t_f、共发射*正向电流传输比的静态值h_FE、共基*输出电容、关闭时间t_off、基*发射*饱和电压V_BEsat、延迟时间t_d、开启时间t_on、贮存时间t_s、集电*发射*饱和电压V_CEsat、I、fT 特征频率、上升时间、下降时间、共发射*正向电流传输比的静态值h、关闭时间、基*发射*饱和电压、延迟时间、开启时间、贮存时间、集电*发射*饱和电压、关断期间的各时间间隔（td(off)、tf、toff、tz）和关断能量Eoff、反向传输电容、开通期间的各时间间隔（td(on)、tr、ton）和开通能量Eon、*大反偏安全工作区、*大短路安全工作区1、*大短路安全工作区2、*大集电*峰值电流、*大集电*电流、栅*内阻、栅*漏电流、栅*电荷、栅*－发射*阈值电压、输入电容、输出电容、间歇工作寿命（负载循环）、集电*-发射*击穿电压、集电*截止电流、集电*－发射*电压、集电*－发射*短路时的栅*－发射*电压、集电*－发射*饱和电压、高温栅*偏置、高温阻断（HTRB）、关断期间的各时间间隔和关断能量、开通期间的各时间间隔和开通能量、*大短路安全工作区、栅*-发射*阈值电压、集电*-发射*饱和电压、结－壳热阻和结－壳瞬态热阻抗、高温阻断

检测标准方法参考：

1、GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) 6.2.1

2、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双*型晶体管 GB/T 4587-1994

3、GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第 9 部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT)

4、(IGBT) GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第 9 部分：绝缘栅双*晶体管 6.3.3

5、GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第 9 部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) 6.3.12

6、GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) 6.3.12

7、GB/T29332-2012IEC60747-9Ed.2.0b:2007 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT)

8、IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019 半导体器件第9部分：分立器件绝缘栅双*晶体管(IGBTs) 7.2.5.3

9、 GB/T 29332-2012 IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

10、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

11、GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双*型晶体管 Ⅳ 1.13.2

12、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9:200 半导体器件分立器件第9部分：绝缘体双*晶体管（IGBT） GB/T 29332-2012/IEC 60747-9:2007

13、GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双*晶体管 GB/T 29332-2012

14、 GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

15、(IGBT) GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第 9 部分：绝缘栅双*晶体管 6.2.6.2

16、IEC60747-9(Edition2.0):2007 半导体器件-分立器件-第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBTs)

17、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双*型晶体管 Ⅳ1.10

18、 IEC 60747-9 Edition 3.0 :201 半导体器件第9部分：分立器件绝缘栅双*晶体管(IGBTs) IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019

19、IEC 60747-9-2019 半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双*晶体管(igbt) 6.3.13

20、GB/T 4587-1995 fT 特征频率

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检测流程

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以上内容为部分列举，仅供参考。百检也可根据您的需求设计检测方案。如果您对双*晶体管检测有严格要求，不妨考虑选择我们的检测服务。更多信息请咨询客服。