半导体集成电路MOS随机存储器检测

半导体集成电路MOS随机存储器检测测试哪些项目？检测费用是多少？检测报告如何办理？百检也可依据相应检测标准或者根据您的需求设计检测方案。

全“1”全“0”、写周期时间t_WC、地址取数时间t_AA、工作状态时电源电流I_CC、校验板、片选取数时间t_AC、维持状态时电源电流I_CCS、读周期时间t_RC、输入负载电流I_L1、功能测试全0全1、功能测试列条、功能测试对角线、功能测试棋盘格、功能测试步进(0、1）、功能测试行条、输入低电平电流、输入高电平电流、输出低电平电压、输出高电平电压、输出高阻态电流、静态条件下的电源电流、功能测试、工作状态时V_CC电源电流 I_CC、工作状态时V_DD电源电流 I_DD、维持状态时V_CC电源电流 I_CCS、维持状态时V_DD电源电流 I_DDS、输入负载电流 I_LI、输出低电平电压 V_OL、输出高电平电压 V_OH、输出高阻态时低电平电流 I_OZL、输出高阻态时高电平电流 I_OZH、输入低电平电流I_IL、输入高电平电流I_IH、输出低电平电压V_OL、输出高电平电压V_OH、输出高阻态时低电平电流I_OZL、输出高阻态时高电平电流I_OZH、静态条件下的电源电流I_DD、存储器特定时间、工作状态时电源电流、延迟时间、建立时间、保持时间、维持状态时电源电流、工作状态时 V_CC电源电流 I_CC、工作状态时 V_DD电源电流 I_DD、维持状态时 V_CC电源电流 I_CCS、维持状态时 V_DD电源电流 I_DDS、输入低电平电流 I_IL、输入高电平电流 I_IH、输出低电平电压 V_OL、输出高阻态时高电平电流 I_OZH、输出高阻态电流 I_OZ、动态条件下的总电源电流、输入低电平电流I_IL、输入高电平电流I_IH、输出低电平电压V_OL、输出高电平电压V_OH、输出高阻态电流I_OZ、静态工作电源电流、输出高阻态时高电平电流I_OZH、输出低阻态时低电平电流I_OZL、输出高电平电压 VOH、输出低电平电压 VOL、输入负载电流 ILI、输出高阻态时高电平电流 IOZH、输出高阻态时低电平电流 IOZL、工作状态时 VDD 电源电流 IDD、工作状态时 VCC电源电流 ICC、维持状态时 VDD 电源电流 IDDS、维持状态时 VCC 电源电流 ICCS、输入高阻态电流 IOZ

1、SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

2、GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998

3、GB/T 17574-1998 《半导体集成电路第2部分：数字集成电路》 第Ⅳ篇第3节第6条

4、SJ/T10739-1996 《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》 4

5、GB/T 17574－1998 半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路 GB/T 17574－1998

6、GB/T 17574－1998 半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路 3.6.2.1

7、SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 4.1、4.2

8、GB/T17574-1998 半导体集成电路第2部分：数字集成电路 IV.3.6

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一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。

因测试项目及实验复杂程度不同，具体请联系客服确定后进行报价。

检测流程步骤