场效应晶体管检测CMA实验室

2023-12-29  |  来源:互联网 77浏览
摘要:场效应晶体管检测第三方检测机构有哪些?场效应晶体管检测报告如何办理?检测项目及标准有哪些?百检第三方检测平台汇集众多CMA/CNAS/CAL资质实验室及检测公司机构,主要为公司企业、个体商户、高校科研提供检测服务,做检测,找百检。

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检测报告图片

检测报告

检测项目参考:

栅-源阈值电压VGS(TO)、栅*截止电流和栅*泄露电流、漏*截止电流、栅-源阈值电压、栅*截止电流、漏*电流、高温反偏、栅*漏泄电流、正向跨导、漏一源击穿电压、静态漏-源通态电阻、反向传输电容Crss、开关时间、栅-源阈值电压VGS(th)、栅*截止电流IGSS、源-漏二*管正向压降VSD、漏-源击穿电压V(BR)DSS、漏*截止电流IDSS、短路正向跨导gfs、管壳热阻(瞬态Z(th)J-C和稳态R(th)J-C)、输入电容Ciss、输出电容Coss、静态漏-源通态电阻RDS(on)、漏-源(直流)电压、栅-源(直流)电压、栅-漏(直流)电压、漏*(直流)电流、漏*峰值电流、漏*反向(直流)电流、漏*反向峰值电流、反偏安全工作区、短路安全工作区、重复雪崩能量、非重复雪崩能量、击穿电压、漏*漏电流、栅*漏电流、漏-源通态电阻、漏-源通态压降、开通能量、关断能量、栅*电荷、输入电容、输出电容、反向传输电容、栅*内阻、反向恢复时间、反向恢复电荷、漏-源反向电压、结-壳瞬态热阻抗和热阻、高温阻断(HTRB)、高温栅*偏置、间歇工作寿命(负载循环)、栅-源截止电压、栅*截止电流或栅*漏泄电流、漏-源通态电压、栅-源短路时、漏*电流、漏-源击穿电压、漏-源短路时、栅*电流、栅-源阈值电压VGS(th)、栅*截止电流和栅*泄漏电流IGSS、漏*截止电流IDSS、栅-源截止电压VGSoff、栅-源阈值电压VGS(th)、栅源*截止(漏泄)电流IGSS、正向跨导gfs、漏源击穿电压V(BR)DSS、漏源*截止电流IDSS、静态漏-源通态电阻rDS、噪声电压噪声系数、时间参数、热阻参数、电压参数、电容参数、电导参数、电流参数、电阻参数、栅源漏电流、栅源阈值电压、漏源击穿电压、漏源通态电阻、跨导、零栅压漏*电流、静态漏源通态电压、静态漏源通态电阻、小信号短路正向跨导、栅*截止电流或栅*漏泄电流IGSS、栅*阈值电压VGS(th)、漏-源击穿电压V(BR)DSS、漏*截止电流IDSS、漏*电流ID、通态漏-源电阻rds(on)、栅-源阈值电压VGSth、栅源击穿电压VBRGSS、漏源击穿电压VBRDSS、栅*泄漏电流、静态漏—源通态电阻、栅-源截止电压(VGSoff)、栅-源阈值电压(VGSth)、漏-源通态电压(VDSon)、静态漏-源通态电阻(rDSon)、反向栅源漏电流、正向栅源漏电流、漏源通态电压、栅源短路时栅*漏电流、漏-源短路漏*电流、栅-源阈值电压VGS(TO)、栅*截止电流或栅*泄露电流、栅*阈值电压VGS(th)、栅源短路时栅*漏电流IGSS、正向跨导ggs(Vgs)、漏-源击穿电压BVDSS、漏-源短路漏*电流IDSS、漏*电流ID、漏*电流Id(on)、通态漏-源电阻rDS(on)、静态漏-源通态电阻RDS(on)、外部目验、密封、尺寸、快速温度变化、恒定加速度、栅源截止电压、栅源阈电压、湿热循环、漏泄或截止电流、漏源电压、稳态湿热、高温贮存、(结栅型、 绝缘栅耗尽型):G-S关断电压VGS(off); (绝缘栅增强型):G-S阈值电压VGS(th)、(结栅型、 绝缘栅耗尽型、绝缘栅增强型):崩溃电压V(BR)DSS、(绝缘栅增强型IDSS)或(结栅型、绝缘栅耗尽型):漏*关断电流IDSX、静态D-S导通阻抗RDS(on)或者D-S导通电压VDS(on)、IDSX:漏*关断电流/IDS*:漏*漏电流

检测标准方法一览:

1、GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 **篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 8 表1 A1

2、GB/T4586-1994 半导体器件第8部分 场效应晶体管 Ⅳ.6

3、GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章2

4、GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管  第Ⅳ章6

5、GB/T 4586-94(IEC 60747-8:1984) 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅲ章3.1.11

6、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407

7、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二*管 第Ⅳ章第1节2

8、GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分 分立器件和集成电路总规范 4

9、IEC 60747-8 Ed. 3.0 b:2010 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 6.3.5

10、GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第IV章 2

11、IEC 60747-8-2010 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 6.3.3

12、IEC 60747-8 (Edition 3.0 2010-12) 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管 6.3.2

13、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 1039/2.1.1

14、IEC 60747-8 Ed. 3.0 :2010 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 6.2.1.1

第三方检测机构平台

汇集众多CNAS、CMA、CAL等资质的检测机构和实验室,检测服务包括:认证、计量、食品、环境、建材、电子、化工、汽车、家居、玩具、箱包、水质、纺织品、日化品、农产品等多项领域。百检网让检测变得简单!

检测报告作用:

1、项目招投标:出具第三方CMA/CNAS资质报告;

2、电商平台入驻:质检报告各大电商平台认可;

3、销售报告:出具真实的检测报告,让消费者更放心;

4、论文及科研:提供科学、准确的检测数据;

5、工业问题诊断:验证工业生产环节问题排查和修正;

检测流程

检测流程

以上内容为部分列举,仅供参考。百检也可根据您的需求设计检测方案。如果您对场效应晶体管检测有严格要求,不妨考虑选择我们的检测服务。更多信息请咨询客服。