绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测第三方检测报告

2024-01-18  |  来源:互联网 133浏览
摘要:绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测报告如何办理?绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测检测项目及标准有哪些?检测报告有效期多久?第三方检测机构有哪些?百检第三方检测主要为公司企业、个体商户、高校科研提供检测服务,做检测,找百检。

绝缘栅双*晶体管(IGBT)检测报告如何办理?绝缘栅双*晶体管(IGBT)检测检测项目及标准有哪些?检测报告有效期多久?第三方检测机构有哪些?百检第三方检测主要为公司企业、个体商户、高校科研提供检测服务,做检测,找百检。

检测报告图片

检测报告

检测项目参考:

关断期间的各时间间隔和关断能量、反向传输电容、开通期间的各时间间隔和开通能量、*大集电*峰值电流、*大集电*电流、栅*漏电流IGES、栅*电荷、栅*-发射*阈值电压VGEth、输入电容、输出电容、集电*-发射*击穿电压V(BR)CES、集电*截止电流ICES、集电*-发射*电压、集电*-发射*短路时的栅*-发射*电压、集电*-发射*饱和电压VCEsat、栅*-发射*阈值电压、栅*漏电流、稳态湿热偏置寿命、结-壳热阻、间歇工作寿命(负载循环)、集电*-发射*饱和电压、集电*截止电流、高温栅*偏置、高温阻断、发射*—集电*的击穿电压V(BR)ECO、栅*—发射*的漏电流IGES、栅*阈电压VGE(th)、正向跨导gm、集电*—发射*的击穿电压V(BR)CEO、集电*—发射*的饱和电压VCEsat、零栅压时的集电*电流ICES、集电*-发射*饱和电压、栅*-发射*阈值电压、*大反偏安全工作区、*大短路安全工作区1、*大短路安全工作区2、开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton)和开通能量Eon、关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff、tz)和关断能量Eoff、结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗、集电*-发射*击穿电压、发射*—集电*的击穿电压、栅*—发射*的漏电流、栅*阈电压、集电*—发射*的击穿电压、集电*—发射*的饱和电压、零栅压时的集电*电流、正向跨导

检测标准方法一览:

1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5

2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3

3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5

4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4

5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2

6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

7、GB/T 4587-1994 半导体器件分立器件 第7部分:双*型晶体管 GB/T 4587-1994

8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9

9、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 Ⅳ2

10、IEC 60749-5:2017 半导体器件机械和气候试验方法 第5部分:稳态湿热偏置寿命试验

11、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT)

12、 GB/T 29332-201 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012

13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3

14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4

15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2

16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3

17、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994

18、 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012

19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12

20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11

检测报告有效期:

一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。常规来说只要测试没更新,测试不变检测报告一直有效。如果是用于过电商平台,一般他们只认可一年内的。所以还要看平台或买家的要求。

检测报告作用:

1、项目招投标:出具第三方CMA/CNAS资质报告;

2、电商平台入驻:质检报告各大电商平台认可;

3、销售报告:出具真实的检测报告,让消费者更放心;

4、论文及科研:提供科学、准确的检测数据;

5、工业问题诊断:验证工业生产环节问题排查和修正;

检测流程

检测流程

以上内容为部分列举,仅供参考。百检也可根据您的需求设计检测方案。如果您对绝缘栅双*晶体管(IGBT)检测有严格要求,不妨考虑选择我们的检测服务。更多信息请咨询客服。