晶体管检测CMA/CNAS实验室

2024-06-17  |  来源:互联网 194浏览
摘要:晶体管检测报告如何办理?晶体管检测第三方检测机构有哪些?做检测,找百检。百检第三方检测平台汇集众多CMA/CNAS/CAL资质实验室及检测公司机构,主要为公司企业、个体商户、高校科研提供检测服务。我们只做真实检测

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检测报告

检测项目指标一览:

发射*-基*击穿电压V(BR)EBO、发射*-基*截止电流IEBO、基*-发射*饱和电压VBEsat、正向电流传输比hFE、集电*-发射*击穿电压V(BR)CEO、集电*-发射*截止电流ICEO、集电*-发射*截止电流ICER、集电*-发射*截止电流ICES、集电*-发射*截止电流ICEX、集电*-发射*饱和电压VCEsat、集电*-基*击穿电压V(BR)CBO、集电*-基*截止电流ICBO、漏源击穿电压、集电*-发射*击穿电压、发射*-基*截至电流IEBO、发射*电流为零时的集电*-基*击穿电压V(BR)CBO、基*-发射*饱和电压VBEsat、常温功率老炼、集电*-发射*截至电流ICEO、集电*-发射*饱和电压VCEsat、集电*-基*截至电流ICBO、高温反偏老炼、基射*电压、射基*关态电流、射基*反向击穿电压、直流增益、稳态热阻、集基*反向击穿电压、集基电*关态电流、集射*反向击穿电压、集射*饱和压降、集射电*关态电流、放大倍数、集电*-发射*饱和电压、放大倍数hFE、集电*-发射*击穿电压V(BR) CEO、密封性检查、恒定加速度、正向电流传输比HFE、温度循环、稳态功率、粒子碰撞噪声检测试验(PIND)、高温反偏、高温寿命(非工作)、发射*-基*击穿电压V(BR)EBO、发射*-基*截止电流IEBO、基*-发射*饱和电压VBEsat、集电*-发射*击穿电压V(BR)CEO、集电*-发射*饱和电压VCEsat、集电*-基*击穿电压V(BR)CBO、集电*-基*截止电流ICBO、共发射*电流放大倍数、发射*—基*击穿电压、发射*—基*间漏电流、基*—发射*间非饱和压降、基*—发射*饱和压降、集电*—发射*击穿电压、集电*—发射*漏电流、集电*—发射*间饱和压降、集电*—基*击穿电压、集电*—基*反向电流、共发射*正向电流传输比的静态值、发射*-基*击穿电压、发射*-基*截止电流、栅-源截止电压、栅-源阈值电压、漏*电流、集电*-发射*截止电流、集电*-基*击穿电压、集电*-基*截止电流、高温寿命、击穿电压、截止电流、直流放大倍数、饱和压降、基*-发射*饱和电压、共射*正向电流传输比、共发射*正向电流传输比、共射*正向电流传输比(HFE)、发射*-基*截止电流(IEBO)、基*-发射*饱和电压(VBEsat)、晶体管集电*-发射*击穿电压V(BR)CEX、集电*-发射*截止电流(ICEO)、集电*-发射*饱和电压(VCEsat)、集电*-基*截止电流(ICBO)、反向击穿电压、正向电流传输比、集电*-发射*击穿电压V(BR)CEO、集电*-发射*截止电流ICEO、发射*-基*击穿电压V(BR)EBO、集电*-基*击穿电压V(BR)CBO、集电*-基*截止电流ICBO、发射*-基*截止电流IEBO

检测标准方法参考:

1、GB/T 4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双*型晶体管》 GB/T 4587-1994

2、GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章 第5节

3、GB/T 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

4、GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

5、GJB128A-97 半导体分立器件试验方法 3011

6、MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准 3066.1

7、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407

8、MIL-STD- 750F:2012 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012

9、GJB128A-1997 GB4587-94 半导体分立器件试验方法半导体分立器件和集成电路.第7部分:双*型晶体管 GJB128A-1997 GB4587-94 4

10、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

11、GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分 双*型晶体管 第Ⅳ章 第1节10

12、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双*型晶体管 Ⅳ 2.7

13、GB/T 4587-1994 IV2.2 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双*型晶管》GB/T 4587-1994 IV2.2

14、GJB128A-1997 GB4587-94 半导体分立器件试验方法半导体分立器件和集成电路.第7部分:双*型晶体管 GJB128A-1997 GB4587-94 9.6

15、GJB128A-1997 GB4587-95 半导体分立器件试验方法半导体分立器件和集成电路.第7部分:双*型晶体管 GJB128A-1997 GB4587-95 5

16、GB/T 4587-94 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双*型晶体管 第IV通用测试方法和基准测试方法

17、GJB128A—1997 半导体分立器件试验方法 方法1039

18、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双*型晶体管 Ⅳ1/10

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检测流程

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