硅半导体

刻蚀机主要分类：电容电感两种方式，优势互补刻蚀按照被刻蚀材料划分，主要分为硅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀。不同的刻蚀材质其所使用的的刻蚀机差距较大。干法刻蚀的刻蚀机的等离子体生成方式包括CCP（电容耦合）以及ICP（电感耦合）。而由于不同方式技术特点的不同，他们在下游擅长的应用领域上也有区分。CCP技术能量较高、但可调节性差，适合刻蚀较硬的介质材料（包括金属）；ICP能量低但可控性强，适合刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。

清洗液的物理化学性质对清洗效果的影响

清洗液的静压力大时，不容易产生空化，所以在密闭加压容器中进行超声清洗或处理时效果较差

清洗剂的选择要从两个方面来考虑：一方面要从污物的性质来选择化学作用效果好的清洗剂；另一方面要选择表面张力、蒸气压及粘度合适的清洗剂，因为这些特性与超声空化强弱有关。液体的表面张力大则不容易产生空化，但是当声强超过空化阈值时，空化泡崩溃释放的能量也大，有利于清洗；高蒸气压的液体会降低空化强度，而液体的粘滞度大也不容易产生空化，因此蒸气压高和粘度大的洁洗剂都不利于超声清洗。

此外，清洗液的温度和静压力都对清洗效果有影响，清洗液温度升高时空化核增加，对空化的产生有利，宿迁硅片，但是温度过高，硅片清洗，气泡中的蒸气压增大，空化强度会降低，硅片酸洗，所以温度的选择要同时考虑对空化强度的影响，也耍考虑清洗液的化学清洗作用每一种液体都有一空化活跃的温度，水较适宜的温度是60-80℃，此时空化活跃。

等离子清洗法利用等离子体产生的自由基与有机异物反应，再以气流的方式去除，从而达到清洗的目的。由于AP功率强，一般会对金属表面产生影响，硅片酸洗机，所以，在金属制程中一般不采用APPlasma的清洗技术。AP使用的气体主要是氮气和空气按照一定的比例混合，同时，和玻璃基板保持合适的距离，加载一定的电压，从而产生自由基，对基板表面进行清洁。

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